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LM358BIDR现货,LM358BIDR价格,LM358BIDR中文资料,参数,LM358BIDR规格书,购买,货期

发表时间:2024/03/03 21:52:18  浏览次数:163  
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1 LM358BIDR特性
3V 至 36V 的宽电源电压范围(B、BA 版本)
静态电流:300 µA/通道(B、BA 版本)
单位增益带宽为 1.2 MHz(B、BA 版本)
共模输入电压范围包括接地,支持近地直接感测
25°C 时的最大输入失调电压为 2 mV(BA 版本)
25°C 时的最大输入失调电压为 3 mV(A、B 版本)
内部射频和 EMI 滤波器(B、BA 版本)
对于符合 MIL-PRF-38535 标准的产品,所有参数均经过测试,除非另有说明。对于所有其他产品,生产流程不一定包含对所有参数的测试。

2 LM358BIDR应用
商用网络和服务器电源单元
多功能打印机
电源和移动充电器
电机控制:交流感应、有刷直流、无刷直流、高压、低压、永磁和步进电机
台式计算机和主板
室内外空调
洗衣机、烘干机和冰箱
交流逆变器、串式逆变器、中央逆变器和变频器
不间断电源
电子销售点系统


3 LM358BIDR说明
LM358BIDR和 LM2904B 器件是行业标准运算放大器 LM358 和 LM2904 的下一代版本,其中包括两个高压 (36V) 运算放大器。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,其特性包括低偏移(300µV,典型值)、对地共模输入范围和高差分输入电压能力。

LM358B 和 LM2904B 运算放大器利用单位增益稳定性、更低的失调电压(最大值为 3mV;LM358BA 和 LM2904BA 的最大值为 2mV)和更低的静态电流(每个放大器为 300µA,典型值)等增强型特性简化了电路设计。高 ESD(2kV,HBM)和集成 EMI 以及射频滤波器可支持将 LM358B 和 LM2904B 器件用于更严苛、更具环境挑战性的应用。

LM358B 和 LM2904B 放大器采用微型封装(如 SOT23-8),以及行业标准封装(包括 SOIC、TSSOP 和 VSSOP)。

通用运算放大器
LM358BIDR
正在供货
工作温度范围为 -40°C 至 85°C 的双路、36V、1.2MHz、3mV 失调电压运算放大器

封装 | 引脚: SOIC (D) | 8
包装数量 | 包装: 2,500 | LARGE T&R
工作温度范围 (°C): -40 to 85
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库存: 527,682
数量 | 价格 (CNY):阶梯报价,量大价优,2500PCS/REEL,含税价低于0.85人民币



说明:
运算放大器 - 运放 Dual, 36-V, 1.2-MHz, 3-mV offset voltage operational amplifier with -40°C to 85°C operation 8-SOIC -40 to 85


产品属性 属性值
制造商: Texas Instruments
产品种类: 运算放大器 - 运放
RoHS: 详细信息
通道数量: 2 Channel
GBP-增益带宽产品: 1.2 MHz
SR - 转换速率 : 500 mV/us
Vos - 输入偏置电压 : 3 mV
Ib - 输入偏流: 50 nA
电源电压-最大: 36 V
电源电压-最小: 3 V
工作电源电流: 300 uA
每个通道的输出电流: 20 mA
CMRR - 共模抑制比: 94 dB
en - 输入电压噪声密度: 40 nV/sqrt Hz
封装 / 箱体: SOIC-8
安装风格: SMD/SMT
关闭: No Shutdown
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
特点: Cost Optimized, EMI Hardened, Standard Amps
增益V/V: 140 V/mV
Ios - 输入偏置电流 : 5 nA
最大双重电源电压: +/- 16 V
最小双重电源电压: +/- 1.5 V
产品: Operational Amplifiers
产品类型: Op Amps - Operational Amplifiers
2500
子类别: Amplifier ICs
THD + 噪声: 0.001 %
单位重量: 108 mg



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